功能描述：MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

制造商：alpha & omega semiconductor inc.

系列：-

包装：管件

零件状态：停產

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：12A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：50nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1954pF @ 100V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：35W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：520 毫欧 @ 6A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220F

封装/外壳：TO-220-3 整包

标准包装：1,000

AOTF12T60PL

AOTF13N50

AOTF13N50FDPF13N50

AOTF14N50

AOTF14N50FD

AOTF14N50FDFDPF13N50

AOTF14N50FDPF13N50

AOTF15B60D

AOTF15B60D2

AOTF15B65M1